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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2205 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK2206 | ETC |
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| 2SK2207 | SANKEN |
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MOSFET |
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| 2SK2208 | SANKEN |
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MOSFET |
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| 2SK2209-01R | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SK220H | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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| 2SK2211 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2211 | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK2211 | TYSEMI |
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Low ON-resistance RDS(ON) High-speed switching Drain to source voltage VDSS 30 V |
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| 2SK2211G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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