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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK220H | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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| 2SK2211 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2211 | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK2211 | TYSEMI |
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Low ON-resistance RDS(ON) High-speed switching Drain to source voltage VDSS 30 V |
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| 2SK2211G | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2212 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2212 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2212-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2213-01 | ETC |
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| 2SK2213-01L | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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