5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK2201LBTE16L
2SK2201LBTE16L PDF预览

2SK2201LBTE16L

更新时间： 2024-01-05 06:28:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 420K
描述
TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK2201LBTE16L 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：20 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2201LBTE16L 数据手册

 浏览型号2SK2201LBTE16L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2201LBTE16L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2201LBTE16L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2201LBTE16L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2201LBTE16L的Datasheet PDF文件第6页 
2SK2201  
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L −π−MOSV)  
2SK2201  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
6.5 ± 0.2  
5.2 ± 0.2  
0.6 MAX.  
z 4 V gate drive  
z Low drain-source ON-resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 0.28 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 3.5 S (typ.)  
fs  
1.1 ± 0.2  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 100 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 0.8 to 2.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
0.8 MAX.  
0.6 MAX.  
1.05 MAX.  
2 3  
0.6 ± 0.15  
1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
100  
100  
±20  
3
V
V
DSS  
2.3 ± 0.15  
2.3 ± 0.15  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
2
3
V
V
1. GATE  
2. DRAIN  
（HEAT SINK）  
3. SOURSE  
GSS  
1
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
12  
A
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
20  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
―
―
E
140  
mJ  
JEITA  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
3
2
A
TOSHIBA  
2-7J1B  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 0.36 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
6.25  
125  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: V = 50 V, T = 25°C (initial), L = 25 mH, R = 25 Ω, I = 3 A  
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2010-02-05  
123456

中文翻译

下载PDF

与2SK2201LBTE16L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2201LBTE16R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose
2SK2201STA1 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERMOLD, DPAK-3, FET Gene
2SK2201TE16L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
2SK2202 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET
2SK2202 HITACHI

获取价格

 		Silicon N-Channel MOS FET
2SK2202-E RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET
2SK2203 RENESAS

获取价格

 		0.013ohm, POWER, FET, TO-3PFM, 3 PIN
2SK2203 HITACHI

获取价格

 		Silicon N-Channel MOS FET
2SK2204(L) ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-262AA
2SK2204(S) ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB

与2SK2201LBTE16L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证