5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK1875-VTE85R
2SK1875-VTE85R PDF预览

2SK1875-VTE85R

更新时间： 2024-11-21 14:27:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 268K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK1875-VTE85R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.65配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：3 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1875-VTE85R 数据手册

 浏览型号2SK1875-VTE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1875-VTE85R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1875-VTE85R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1875-VTE85R的Datasheet PDF文件第5页 
2SK1875  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK1875  
High Frequency Amplifier Applications  
Unit: mm  
AM High Frequency Amplifier Applications  
Audio Frequency Amplifier Applications  
•
•
High |Y |: |Y | = 25 mS (typ.)  
fs fs  
Low C : C = 7.5 pF (typ.)  
iss iss  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate-drain voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−20  
10  
V
GDS  
Gate current  
I
mA  
mW  
°C  
G
Drain power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
D
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-2E1B  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= −15 V, V  
= 0 V  
⎯
⎯
⎯
−1.0  
nA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
Gate-drain breakdown voltage  
V
= 0 V, I = −100 μA  
−20  
⎯
(BR) GDS  
G
I
DSS  
(Note)  
Drain current  
V
= 5 V, V  
= 0 V  
6
⎯
32  
mA  
DS  
GS  
Gate-source cut-off voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
V
V
V
V
V
= 5 V, I = 1 μA  
⎯
15  
⎯
⎯
⎯
25  
7.5  
2
−2.5  
⎯
V
GS (OFF)  
⎪Y ⎪  
DS  
DS  
DS  
DG  
D
= 5 V, V  
= 5 V, V  
= 0 V, f = 1 kHz  
= 0 V, f = 1 MHz  
mS  
pF  
pF  
fs  
GS  
GS  
C
10  
3
iss  
rss  
Reverse transfer capacitance  
C
= 5 V, I = 0 A, f = 1 MHz  
D
Note: I  
classification  
DSS  
GR: 6~12 mA, BL: 10~20 mA, V: 16~32 mA  
(G)  
) ...... I  
(L)  
(V)  
(
rank marking  
DSS  
1
2007-11-01  
12345

中文翻译

下载PDF

与2SK1875-VTE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1876 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220
2SK1880 HITACHI

获取价格

 		Silicon N-Channel MOS FET
2SK1880 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOS FET
2SK1880(L) HITACHI

获取价格

 		8ohm, POWER, FET, DPAK-3
2SK1880(L)|2SK1880(S) ETC

获取价格
2SK1880(S) RENESAS

获取价格

 		8ohm, POWER, FET, DPAK-3
2SK1880(S)TL HITACHI

获取价格

 		暂无描述
2SK1880(S)TL RENESAS

获取价格

 		1.5A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1880(S)TR RENESAS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1880L HITACHI

获取价格

 		Silicon N-Channel MOS FET

与2SK1875-VTE85R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证