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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1881-S
2SK1881-S PDF预览

2SK1881-S

更新时间： 2024-09-28 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 205K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK1881-S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2SK1881-S 数据手册

 浏览型号2SK1881-S的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1881-L,S  
F-III Series  
60V 0,07W 20A  
45W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
60  
60  
20  
80  
DS  
V
V
Drain-Gate-Voltage (RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
DGR  
I
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±20  
45  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=60V  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=10A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
2,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
W
S
DSS  
Gate Source Leakage Current  
I
100  
0,11  
0,07  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,07  
0,05  
15  
DS(on)  
ID=10A  
VGS=10V  
VDS=25V  
ID=10A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
8
fs  
VDS=25V  
C
860  
300  
100  
10  
1300  
450  
150  
15  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=20A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
40  
60  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=25W  
t
150  
50  
230  
80  
d(off)  
t
f
Continous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
I
20  
DR  
I
80  
A
DRM  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
V
1,25  
60  
1,8  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Reverse Recovery Charge  
Q
0,1  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
125  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,78 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

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