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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1880(S)TL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK1880(S)TL | RENESAS |
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1.5A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1880(S)TR | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1880L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1880L | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1880L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1880S | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1880S | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK1880S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1880S | TYSEMI |
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Low on-resistance High speed switching No secondary breakdown Suitable for Switching regul |
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