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2SK1549-R

更新时间: 2024-11-12 22:52:51
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
10页 152K
描述
Power MOSFET

2SK1549-R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1549-R 数据手册

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