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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 4.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1553-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
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| 2SK1553-01M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1553-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1554-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
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| 2SK156 | SANYO |
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SILICON N-CHANNEL JUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR CONDENSER MICROPHONE IMPEDANCE |
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| 2SK1562 | ISC |
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Drain Current âID=12A@ TC=25C |
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| 2SK1563 | ISC |
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Drain Current âID=12A@ TC=25C |
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| 2SK1564 | ISC |
获取价格 |
Drain Current âID=3A@ TC=25C |
|
| 2SK1565 | ISC |
获取价格 |
Drain Current âID=3A@ TC=25C |
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| 2SK1566 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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