2SK1152STL-E

更新时间： 2024-01-06 02:52:55

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Silicon N Channel MOS FET

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2SK1152STL-E 数据手册

2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

Pulse Test

5 V, 10 V

V_GS= 0, –10 V

0.8 1.2

Source to Drain Voltage V_SD(V)

0.4

1.6

2.0

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

T_C= 25°C

D = 1

0.5

1.0

0.3

0.1

= γ (t) • θ

ch–c

= 6.25°C/W, T_C= 25°C

ch–c(t)

ch–c

P_DM

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Waveforms

90 %

Vout Monitor

R_L

Vin

10 %

D.U.T

10 %

Vout

50 Ω

90 %

d (off)

90 %

V_DD= 30 V

d (on)

Vin = 10 V

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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