2SK1152S

更新时间： 2024-02-29 04:56:19

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 ISM频段
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Silicon N Channel MOS FET

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2SK1152S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1152S 数据手册

2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

Pulse Test

5 V, 10 V

V_GS= 0, –10 V

0.8 1.2

Source to Drain Voltage V_SD(V)

0.4

1.6

2.0

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

T_C= 25°C

D = 1

0.5

1.0

0.3

0.1

= γ (t) • θ

ch–c

= 6.25°C/W, T_C= 25°C

ch–c(t)

ch–c

P_DM

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Waveforms

90 %

Vout Monitor

R_L

Vin

10 %

D.U.T

10 %

Vout

50 Ω

90 %

d (off)

90 %

V_DD= 30 V

d (on)

Vin = 10 V

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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