2SK1152L

更新时间： 2024-02-24 14:14:48

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Silicon N Channel MOS FET

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2SK1152L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1152L 数据手册

2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

1.0

0.3

0.1

2SK1151

0.03

0.01

Ta = 25

°C

2SK1152

100

150

100

1,000

Case Temperature T_C(°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

15 V

5 V

V_DS= 20 V

Pulse Test

6 V

Pulse Test

10 V

4.5 V

4 V

–25°C

75°C

V_GS= 3.5 V

T_C= 25

°C

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

100

Pulse Test

V_GS= 10 V

2 A

15 V

1 A

I_D= 0.5 A

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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