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2SK1152L

更新时间: 2024-01-03 10:46:52
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1152L 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.27Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A
最大漏极电流 (ID):1.5 A最大漏源导通电阻:6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1152L 数据手册

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2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)  
Package Dimensions  
JEITA Package Code  
RENESAS Code  
PRSS0004ZD-A  
Package Name  
MASS[Typ.]  
0.42g  
Unit: mm  
DPAK(L)-(1) / DPAK(L)-(1)V  
6.5 0.5  
5.4 0.5  
2.3 0.2  
0.55 0.1  
1.2 0.3  
1.15 0.1  
0.8 0.1  
0.55 0.1  
2.29 0.5  
2.29 0.5  
JEITA Package Code  
SC-63  
RENESAS Code  
PRSS0004ZD-C  
Package Name  
MASS[Typ.]  
0.28g  
Unit: mm  
DPAK(S) / DPAK(S)V  
2.3 0.2  
6.5 0.5  
5.4 0.5  
(5.1)  
0.55 0.1  
(0.1)  
(0.1)  
0 – 0.25  
(1.2)  
0.55 0.1  
1.0 Max.  
0.8 0.1  
2.29 0.5  
2.29 0.5  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 6 of 7  

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