Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK1062TE85LF

2SK1062TE85LF

更新时间： 2024-01-24 12:28:06

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东芝 - TOSHIBA		开关
页数	文件大小	规格书
5页	327K
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High Speed Switching Applications

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2SK1062TE85LF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	18 pF	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1062TE85LF 数据手册

2SK1062

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Gate leakage current

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= ±10 V, V

= 0

⎯

±100

μA

GSS

Drain cut-off current

= 60 V, V

= 0

DSS

(BR) DSS

= 0

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

Forward transfer admittance

Drain-source ON resistance

Drain-source ON voltage

Input capacitance

= 1 mA, V

⎯

= 10 V, I = 1 mA

⎯

3.5

⎯

⎪Y ⎪

= 10 V, I = 50 mA

100

⎯

= 50 mA, V

= 10 V

0.6

1.0

DS (ON)

= 50 mA, V

= 10 V

= 10 V, V

= 0, f = 1 MHz

iss

rss

oss

Reverse transfer capacitance

Output capacitance

Rise time

⎯

Turn-on time

Switching time

Fall time

: t , t < 5 ns

Turn-off Time

⎯

off

D.U 1% (Z

out

= 50 Ω)

Note: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2007-11-01

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1062TE85R	TOSHIBA	TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose	获取价格
2SK1063	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-3	获取价格
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