2SJ76

更新时间： 2024-01-05 14:57:10

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管
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6页	64K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ76 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.38
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	140 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ76 数据手册

2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

–140

–160

–180

–200

±15

Unit

Drain to source voltage

2SJ76

2SJ77

2SJ78

2SJ79

V_DSX

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

I_D

–500

1.75

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch

Pch ^{Note 1}

Channel temperature

Tch

150

°C

Storage temperature

Tstg

–45 to +150

Note: 1. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown

voltage

2SJ76

2SJ77

2SJ78

2SJ79

V _{(BR) DSX}–140

–160

V_GS= 2 V, I_D= –1 mA

—

–180

—

–200

—

Gate to source breakdown voltage

Gate to source cutoff voltage

Drain to source saturation voltage

Forward transfer admittance

Input capacitance

V _{(BR) GSS}

V_{GS (on)}

V_{DS (sat)}

|y_fs|

±15

–0.2

—

I_G= ±10 µA, V_DS= 0

—

–1.5

–2.0

—

I_D= –10 mA, V_DS= –10 V ^{Note 2}

I_D= –10 mA, V_GS= 0 ^{Note 2}

I_D= –10 mA, V_DS= –20 V ^{Note 2}

—

120

4.8

Ciss

—

V_DS= –10 V, I_D= –10 mA,

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Note: 2. Pulse test

Crss

—

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 5

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