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2SK0065(2SK65)

更新时间： 2024-11-24 23:20:35

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描述
小信号デバイス－小信号FET －接合形FET

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2SK0065(2SK65) 数据手册

シリコン接合形FET (小信号)

2SK0065 (2SK65)

シリコンNチャネル接合形

低周波インピーダンス変換用

unit: mm

エレクトレットコンデンサマイク用

4.0 0.2

2.0 0.2

I 特長

G ゲート·ソース間にダイオードを接

続。

0.75 max.

G 雑音電圧が小さい。

I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項目

ドレイン·ソース電圧

ゲート·ドレイン電圧

ドレイン·ソース電流

ドレイン·ゲート電流

ゲート·ソース電流

許容損失

記号

V_DSO

V_GDO

I_DSO

I_DGO

I_GSO

P_D

定格

単位

+0.20

0.45

−12

–0.10

+0.20

0.45

–0.10

(2.5) (2.5)

°C

0.7 0.1

1: Drain

2: Gate

3: Source

NS-B1 Package

動作周囲温度

T_opr

−10 ~ +70

−20 ~ +150

保存温度

T_stg

°C

I 電気的特性 (Ta = 25°C)

項目

記号

条件

最小

標準

最大

0.8

単位

ドレイン·ソースしゃ断電流

I_DSS

V_DS= 4.5V, V_GS= 0, R_S= 2.2kΩ ± 1%

V_DS= 4.5V, V_GS= 0

0.04

相互コンダクタンス

雑音電圧

g_m

300

500

µS

µV

R_S= 2.2kΩ ± 1%, f = 1kHz

V_DS= 4.5V, R_S= 2.2kΩ ± 1%

C_G= 10pF, A-curve

V_DS= 4.5V, R_S= 2.2kΩ ± 1%

C_G= 10pF, e_G= 100mV, f = 70Hz

V_DS= 12V, R_S= 2.2kΩ ± 1%

C_G= 10pF, e_G= 100mV, f = 70Hz

V_DS= 1V, R_S= 2.2kΩ ± 1%

C_G= 10pF, e_G= 100mV, f = 70Hz

G_V1

−10

−9.5

−11

電圧利得

G_V2

G_V3

I_DSSランク分類およびG_V値

ランク

I_DSS(mA)

0.04 ~ 0.2

> −13

> −12

< 3

0.15 ~ 0.8

> −12

> −11

< 3

G_V1(dB)

G_V2(dB)

∆| G_V1− G_V2| (dB)

注) ( )内は, 従来品

番です

241

12 3

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