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2SJ76

更新时间： 2024-01-23 07:00:28
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ76 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.38
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：140 V最大漏极电流 (ID)：0.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ76 数据手册

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2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79  
Main Characteristics  
Power vs. Temperature Derating  
Typical Output Characteristics  
–500  
–400  
–300  
–200  
–100  
0
60  
40  
20  
–4.5  
Tc = 25°C  
–4.0  
–3.5  
–3.0  
–2.5  
–2.0  
–1.5  
–1.0  
V
GS  
= –0.5 V  
0
0
50  
100  
150  
0
–4  
–8  
–12  
–16  
–20  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Typical Output Characteristics  
Typical Transfer Characteristics  
VDS = –20 V  
–500  
–400  
–300  
–200  
–100  
0
–50  
–40  
–30  
–20  
–10  
0
–1.0  
Tc = 25°C  
–0.9  
–0.8  
–0.7  
–0.6  
Tc = –25°C  
25°C  
75°C  
–0.5  
–0.4  
–0.3  
–0.2  
V
GS  
= –0.1 V  
0
–20  
–40  
–60  
–80  
–100  
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
Typical Transfer Characteristics  
VDS = –20 V  
–100  
–80  
–60  
–40  
–20  
0
200  
100  
50  
Tc = –25°C  
20  
10  
5
25°C  
75°C  
Tc = 25°C  
VDS = –20 V  
2
–2  
–5 –10 –20  
–50 –100 –200  
0
–0.4  
–0.8  
–1.2  
–1.6  
–2.0  
Drain Current ID (mA)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 5  
123456

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