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2SJ557(0)-T1B-AT

更新时间： 2024-01-04 05:26:58

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
10页	222K
描述
Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape

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技术参数
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2SJ557(0)-T1B-AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TMM
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ557(0)-T1B-AT 数据手册

2SJ557

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

500

400

300

250

200

150

GS = −4.5 V

VGS = −10 V

= 125˚C

75˚C

= 125˚C

25˚C

75˚C

25˚C

−25˚C

200

100

−25˚C

−1

- Drain Current - A

−10

−0.01

−0.1

−1

- Drain Current - A

−10

−0.01

−0.1

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

350

500

400

300

200

ID = −1.0 A

300

250

GS = −4.0 V

−4.5 V

200

−10 V

150

100

−8

−4

−12

−16

−20

−50

100

150

Tch - Channel Temperature -˚C

VGS - Gate to Source Voltage - V

CAPACITANCE vs. DRAIN TO

SOURCE VOLTAGE

SWITCHING CHARACTERISTICS

1000

f = 1MHz

GS = 0V

d(off)

Ciss

100

oss

d(on)

Crss

DD = −10 V

on) = −10 V

= 10 Ω

(

−1

−10

DS - Drain to Source Voltage - V

−100

−0.1

−10

- Drain Current - A

Data Sheet D13292EJ2V0DS

1...3 4 567 8 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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