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2SJ557(0)-T1B-AT

更新时间： 2024-02-11 21:38:34

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
10页	222K
描述
Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape

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2SJ557(0)-T1B-AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TMM
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ557(0)-T1B-AT 数据手册

2SJ557

TYPICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

★

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

100

−100

−10

−1

ID(pulse)

Limi1te0d

−

ID (DC)

R^DS(on)

(@V

−0.1

Single Pulse

Mounted on FR-4 Board of

50mm x 50mm x 1.6mm

−0.01

120

150

−0.1

−1

−10

−100

A - Ambient Temperature - ˚C

DS - Drain to Source Voltage - V

GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

TRANSFER CHARACTERISTICS

DS = −10 V

−10

−2.0

−1.8

DS = −10 V

= −1 mA

−1

−0.1

= 125˚C

75˚C

25˚C

−1.6

−1.4

−0.01

−25˚C

−0.001

−0.0001

−1.2

−50

−0.00001

150

100

−1

−2

−3

−4

−5

ch - Channel Temperature - ˚C

VGS - Gate to Sorce Voltage - V

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

FORWARD TRANSFER ADMMITTANCE Vs.

DRAIN CURRENT

500

400

300

100

GS = −4.0 V

DS = −10V

= −25˚C

25˚C

0.1

75˚C

125˚C

= 125˚C

75˚C

25˚C

200

100

−25˚C

0.01

−0.01

−0.1

- Drain Current - A

−0.01

−1

−10

−0.1

- Drain Current - A

−10

−1

Data Sheet D13292EJ2V0DS

1 2 3 456 7 8...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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