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2SJ557(0)-T1B-AT

更新时间: 2024-01-12 02:03:12
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
10页 222K
描述
Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape

2SJ557(0)-T1B-AT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TMM
包装说明:,针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.68
JESD-609代码:e3峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
端子面层:Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

2SJ557(0)-T1B-AT 数据手册

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2SJ557  
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE  
10  
DYNAMIC INPUT CHARACTERISTICS  
10  
8  
I
D
= 2.5 A  
1
0.1  
6  
V
DD = 10 V  
6 V  
4  
2  
0
0.01  
0
1
2
3
4
5
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
V
F(S-D) - Source to Drain Voltage - V  
QG - Gate Charge - nC  
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH  
Without Board  
1000  
100  
Single Pulse  
2
µ
Mounted on 250 mm x 35  
m
Copper Pad  
Connected to Drain Electrode  
in 50 mm x 50 mm x 1.6 mm  
FR-4 Board  
10  
1
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
PW - Pulse Width - S  
5
Data Sheet D13292EJ2V0DS  

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