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2SJ557(0)-T1B-AT

更新时间： 2024-02-24 00:42:50

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
10页	222K
描述
Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape

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2SJ557(0)-T1B-AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TMM
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ557(0)-T1B-AT 数据手册

2SJ557

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

Drain Cut-off Current

SYMBOL

I^DSS

TEST CONDITIONS

V^DS= –30 V, V^GS= 0 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

–10

±10

–2.5

µA

Gate Leakage Current

I^GSS

V^GS= ±16 V, V^DS= 0 V

V^DS= –10 V, I^D= –1 mA

V^DS= –10 V, I^D= –1.5 A

V^GS= –10 V, I^D= –1.0 A

V^GS= –4.5 V, I^D= –1.0 A

V^GS= –4.0 V, I^D= –1.0 A

V^DS= –10 V

Gate Cut-off Voltage

V^GS(off)

| y^fs|

R^DS(on)1

R^DS(on)2

R^DS(on)3

C^iss

–1.0

–1.7

2.5

114

178

212

312

117

Forward Transfer Admittance

Drain to Source On-state Resistance

155

255

290

mΩ

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-on Delay Time

Rise Time

C^oss

V^GS= 0 V

C^rss

f = 1 MHz

t^d(on)

t^r

t^d(off)

t^f

V^DD= –10 V

I^D= –1.0 A

Turn-off Delay Time

Fall Time

V^GS(on)= –10 V

133

R^G= 10 Ω

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Q^G

V^DD= –10 V

2.8

1.0

1.2

0.84

Q^GS

I^D= –2.5 A

Q^GD

V^F(S-D)

t^rr

V^GS= –4.0 V

I^F= 2.5 A, V^GS= 0 V

di/dt = 50 A/µs

Q^rr

7.8

TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME

TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE

D.U.T.

IG = 2 mA

R^L

90 %

V^GS

GS(on)

10 %

Wave Form

RG = 10 Ω

PG.

VDD

50 Ω

90 %

10 %

V^GS

10 %

Wave Form

d(on)

td(off)

toff

τ = 1µ s

Duty Cycle ≤ 1 %

Data Sheet D13292EJ2V0DS

1 2 345 6 7...10

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