5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SJ530S
2SJ530S PDF预览

2SJ530S

更新时间： 2024-01-03 15:38:09
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Hight Speed Power Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SJ530S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ530S 数据手册

  
SMD Type  
MOSFET  
Hight Speed Power Switching  
2SJ530S  
TO-252  
Features  
Unit: mm  
+0.15  
6.50  
-0.15  
+0.1  
2.30  
-0.1  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.08 typ.  
High speed switching  
4V gate drive devices.  
+0.2  
5.30  
-0.2  
+0.8  
0.50  
-0.7  
0.127  
max  
+0.1  
0.80  
-0.1  
1 Gate  
+0.1  
0.60  
-0.1  
2.3  
4.60  
2 Drain  
3 Source  
+0.15  
-0.15  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current (DC)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
Unit  
V
-60  
20  
V
-15  
A
Drain current(pulse) *  
Power dissipation  
ID  
-60  
A
PD  
30  
W
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
-55 to +150  
* PW 10 s, duty cycle  
1 %  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
-60  
20  
Typ  
Max  
Unit  
V
Drain to source breakdown voltage  
Gate to source breakdown voltage  
Drain cut-off current  
VDSS  
VGSS  
IDSS  
ID=-10mA,VGS=0  
V
IG= 100 A ,VDS=0  
VDS=-60V,VGS=0  
-10  
10  
A
Gate leakage current  
IGSS  
VGS= 16V,VDS=0  
A
Gate to source cutoff voltage  
Forward transfer admittance  
VGS(off) VDS=-10V,ID=-1mA  
-1.0  
6.5  
-2.0  
V
VDS=-10V,ID=-8A  
VGS=-10V,ID=-8A  
VGS=-4.0V,ID=-8A  
11  
S
Yfs  
0.08 0.10  
Drain to source on-state resistance  
RDS(on)  
0.11 0.16  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
850  
420  
110  
12  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDS=-10V,VGS=0,f=1MHZ  
75  
VGS(on)=-10V,ID=--8A ,RL=3.75  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
125  
75  
1
www.kexin.com.cn  
1

中文翻译

下载PDF

与2SJ530S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ530S-E RENESAS

获取价格

 		15A, 60V, 0.16ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
2SJ530STL-E RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ531 HITACHI

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ531 RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ531-E RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ532 RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ532 HITACHI

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ532-E RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ533 HITACHI

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ533 RENESAS

获取价格

 		Silicon P Channel MOS FET

与2SJ530S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证