2SJ532

更新时间： 2024-09-24 22:33:19

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ532 数据手册

2SJ532

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-653B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.042Ω typ.

Low drive current.

•

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

TO–220CFM

1. Gate

2. Drain

3. Source

12 3 4 5 6 7...9

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