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2SJ529S-E

更新时间： 2024-01-14 17:12:38

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瑞萨 - RENESAS		ISM频段开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	77K
描述
10A, 60V, 0.24ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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技术参数
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2SJ529S-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ529S-E 数据手册

2SJ529(L),2SJ529(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–100

–50

10 µs

–20

–10

–5

–2

–1

Operation in

this area is

limited by R

–0.5

DS(on)

–0.2

–0.1

Ta = 25 °C

–1 –3

Drain to Source Voltage

100

150

200

–0.1 –0.3

–10 –30 –100

(V)

Case Temperature Tc (°C)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

–10 V

–10

–8

–6

–4

–2

–10

–8

–6

–4

–2

= –10 V

Pulse Test

–3.5 V

–5 V

–4 V

Pulse Test

–3 V

Tc = 75 °C

25 °C

–25 °C

–4

–2.5 V

= –2 V

–1

–2

–3

–5

–2

–4

–6

–8

–10

(V)

Gate to Source Voltage

(V)

Drain to Source Voltage

1...3 4 567 8 9...14

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与2SJ529S-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ529STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ529STR-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(S)/TO-252	获取价格
2SJ530	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ530	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ530(L)	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ530(L)	RENESAS	0.16ohm, POWER, FET, DPAK-3	获取价格