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2SJ530(L)

更新时间: 2024-02-12 15:50:30
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日立 - HITACHI 开关电源开关
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描述
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2SJ530(L) 数据手册

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2SJ530(L),2SJ530(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-655B (Z)  
3rd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.08typ.  
4V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
DPAK–2  
4
4
D
1
2
3
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
S

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