2SJ529S

更新时间： 2024-02-29 08:38:46

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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9页	94K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ529S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ529S 数据手册

2SJ529(L), 2SJ529(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

–10

–8

–6

–4

–2

Pulse Test

I_AP= –10 A

V_DD= –25 V

duty < 0.1 %

Rg ≥ 50 Ω

–10 V

–5 V

V_GS= 0, 5 V

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

100

125

150

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Channel Temperature Tch (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

θch – c (t) = γ s (t) • θch – c

θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C

D =

P_DM

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

V_DSS

E_AR

• L • I_AP•

V_DS

Monitor

V_DSS– V_DD

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

–15 V

50 Ω

V_DD

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 8

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