2SJ529L

更新时间： 2024-01-03 18:51:32

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
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9页	55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ529L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ529L 数据手册

2SJ529(L),2SJ529(S)

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

2000

1000

500

= 0

f = 1 MHz

200

100

Ciss

Crss

200

100

Coss

–30

di / dt = 50 A / µs

= 0, Ta = 25 °C

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

(A)

–10

–20

–40

–50

(V)

Reverse Drain Current

Drain to Source Voltage

Dynamic Input Characteristics

Switching Characteristics

= –10 V, V = –30 V

1000

–20

–40

–60

= –10 V

–25 V

Pw = 5 µs, duty < 1 %

300

100

–50 V

–4

–8

–12

d(off)

= –10 A

d(on)

= –10 V

–25 V

–80

–16

–20

–50 V

–100

–0.1 –0.2

–0.5 –1 –2

–5

–10

Gate Charge Qg (nc)

Drain Current

(A)

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