2SJ529L

更新时间： 2024-01-26 14:24:50

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
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9页	55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ529L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ529L 数据手册

2SJ529(L),2SJ529(S)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

Pulse Test

0.5

0.2

= –4 V

–10 V

= –5 A

0.1

0.05

–2 A

–1 A

0.02

0.01

Pulse Test

–4

–8

–12

–16

–20

(V)

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Gate to Source Voltage

Drain Current

(A)

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

0.5

Pulse Test

0.4

0.3

0.2

0.1

Ta = –25 °C

25 °C

= –5 A

–2 A

–1 A

75 °C

= –4 V

–5 A

–1, –2 A

0.5

–10 V

= –10 V

Pulse Test

–0.5 –1 –2 –5 –10

Drain Current I

–40

0.1

–0.1 –0.2

120

160

Case Temperature Tc (°C)

(A)

1 2 345 6 7...9

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