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2SJ496_11

更新时间： 2022-05-21 02:54:38
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
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8页 114K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ496  
Preliminary  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
20  
10  
0.5  
Pulse Test  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Tc = –25°C  
5
–2 A  
ID = –5 A  
25°C  
2
1
–1 A  
VGS = –4 V  
75°C  
–5 A  
–1 A, –2 A  
0.5  
VDS = –10 V  
Pulse Test  
–10 V  
0
0.2  
–0.1 –0.2  
–40  
40  
80  
120  
160  
–0.5 –1 –2  
–5 –10  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body-Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
500  
2000  
1000  
500  
Ciss  
200  
100  
50  
Coss  
200  
100  
50  
20  
10  
5
Crss  
di / dt = 50 A / μs  
GS = 0, Ta = 25°C  
20  
10  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
V
–0.1 –0.2  
–0.5 –1  
–2 –5 –10  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Dynamic Input Characteristics  
Switching Characteristics  
0
–20  
1000  
0
VDD = –10 V  
–25 V  
–50 V  
ID = –5 A  
300  
100  
30  
–4  
t
d(off)  
t
f
–40  
–8  
VGS  
VDS  
t
r
–60  
–12  
–16  
–20  
t
d(on)  
VDD = –50 V  
–25 V  
–10 V  
10  
–80  
3
1
VGS = –10 V, VDD = –30 V  
PW = 5 μs, duty ≤ 1 %  
–100  
0
8
16  
24  
32  
40  
–0.1 –0.2  
–0.5 –1  
–2  
–5 –10  
Gate Charge Qg (nc)  
Drain Current ID (A)  
R07DS0433EJ0400 Rev.4.00  
Jun 07, 2011  
Page 4 of 7  
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