2SJ387(S)

更新时间： 2024-01-10 23:20:42

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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2SJ387(S) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ387(S) 数据手册

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Package Dimensions

JEITA Package Code

RENESAS Code

Package Name

MASS[Typ.]

0.42g

Unit: mm



PRSS0004ZD-B

DPAK(L)-(2) / DPAK(L)-(2)V

6.5 0.5

5.4 0.5

2.3 0.2

0.55 0.1

1.15 0.1

1.2 0.3

0.8 0.1

(0.7)

0.55 0.1

2.29 0.5

JEITA Package Code

SC-63

RENESAS Code

PRSS0004ZD-C

Package Name

MASS[Typ.]

0.28g

Unit: mm

DPAK(S) / DPAK(S)V

2.3 0.2

6.5 0.5

5.4 0.5

(5.1)

0.55 0.1

(0.1)

0 – 0.25

(1.2)

0.55 0.1

1.0 Max.

0.8 0.1

2.29 0.5

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 6 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ387L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格