2SJ387(S)

更新时间： 2024-02-05 17:06:09

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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2SJ387(S) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ387(S) 数据手册

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–20

Unit

±10

–10

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–40

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

–10

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

–20

±10

—

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±200 µA, V_DS= 0

V_GS= ±6.5 V, V_DS= 0

V_DS= –16 V, V_GS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –5 A, V_GS= –4 V ^{Note 3}

I_D= –5 A, V_GS= –2.5 V ^{Note 3}

I_D= –5 A, V_DS= –10 V ^{Note 3}

V_DS= –10 V

—

±10

–100

–1.5

0.07

0.1

—

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–0.5

—

0.05

0.07

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

Ciss

—

1170

860

310

—

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

I_D= –5 A

V_GS= –4 V

R_L= 2 Ω

Rise time

—

325

350

425

–1.0

240

—

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

I_F= –10 A, V_GS= 0

di_F/dt = 20 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 7

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ387L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格

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