2SJ387(S)

更新时间： 2024-01-12 10:44:33

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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2SJ387(S) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ387(S) 数据手册

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–100

–30

10 µs

100 µs

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

100

150

200

–0.5 –1 –2

–5 –10 –20

–50

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

–10

–8

–6

–4

–2

–20

–16

–12

–8

–10 V

Pulse Test

V_DS= –10 V

Pulse Test

–2.5 V

–5 V

–4V

–2 V

Tc = –25°C

–4

25°C

75°C

V_GS= –1.5 V

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–0.5

Pulse Test

0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

0.2

0.1

V_GS= –2.5 V

I_D= –5 A

0.05

–4 V

–2 A

–1 A

0.02

0.01

–2

–4

–6

–8

–10

–0.5 –1 –2

–5 –10 –20

–50

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ387L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格