2SJ387(S)

更新时间： 2024-02-16 17:50:52

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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2SJ387(S) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ387(S) 数据手册

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

V_DS= –10 V

Pulse Test

Tc = –25°C

I_D= –5 A

–1 A, –2 A

25°C

75°C

V_GS= –2.5 V

–5 A

–2 A

–1 A

–4 V

0.5

–0.1 –0.2

–40

120

160

–0.5 –1 –2

–5 –10

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

1000

500

10000

5000

200

100

2000

1000

500

Ciss

Coss

Crss

200

100

di / dt = 20 A / µs

V_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

–10

–20

–30

–40 –50

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Dynamic Input Characteristics

Switching Characteristics

–10

–20

–30

–40

–50

1000

500

d(off)

V_DD= –5 V

–10 V

–15 V

–4

200

100

V_DD= –5 V

–10 V

–15 V

V_DS

–8

V_GS

–12

–16

–20

V_GS= –4 V, V_DD= –10 V

PW = 5 µs, duty ≤ 1 %

d(on)

I_D= –10 A

Gate Charge Qg (nc)

100

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30 –100

Drain Current I_D(A)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
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2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
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