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2SJ384(S)

更新时间： 2024-09-28 23:20:35

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其他 - ETC		晶体晶体管开关局域网
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10页	53K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263AB

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2SJ384(S) 数据手册

2SJ384(L), 2SJ384(S)

Silicon P-Channel MOS FET

November 1996

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source

Suitable for Switching regulator, DC - DC converter

Avalanche Ratings

Outline

LDPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ384(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ384(S)TR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ384L	ETC	获取价格
2SJ384S	ETC	获取价格
2SJ386	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ386	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ386TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ387	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ387	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ387(L)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal