2SJ319L

更新时间： 2024-02-23 00:04:29

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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8页	87K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ319L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ319L 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–200

±20

Unit

–3

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–12

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

–3

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

–200

±20

—

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

Forward transfer admittance

Input capacitance

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

V_DS= –160 V, V_GS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –2 A, V_GS= –10 V ^{Note 3}

I_D= –2 A, V_DS= –10 V ^{Note 3}

V_DS= –10 V

—

±10

–100

–4.0

2.3

—

µA

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–2.0

—

1.7

330

130

Ω

1.0

—

Ciss

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

V_GS= 0

Output capacitance

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

I_D= –2 A

_GS= –10 V

Rise time

—

R_L= 15 Ω

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

–1.15

180

—

I_F= –3 A, V_GS= 0

di_F/dt = 50 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 7

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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