Datasheet > 2SJ280(S)

2SJ280(S)

更新时间： 2024-02-21 20:05:26

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	50K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ280(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ280(S) 数据手册

2SJ280(L), 2SJ280(S)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

–60

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

±20

I_D

–30

Drain peak current

I_D(pulse)

I_DR

I_AP*³

E_AR*³

–120

–30

Body to drain diode reverse drain current

Avalanche current

–30

Avalanche energy

°C

Channel dissipation

Pch*²

Channel temperature

Storage temperature

Tch

150

Tstg

–55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at T_C= 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

123 4 5 6 7...9

下载PDF

与2SJ280(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ280(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ280(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ280L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ280L-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm LDPAK(L)	获取价格
2SJ280S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ281	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格