2SJ130L-E

更新时间： 2024-02-26 20:34:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 ISM频段
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ130L-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(L)-(1)	包装说明：	SC-63, DPAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ130L-E 数据手册

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–20

–10

–5

150

100

Ta = 25°C

I_Dmax (Continuous) _{PW = 10 ms (1 shot)}

PW = 100 ms (1 shot)

(–14.3 V,

DC Operation (Tc = 25°C)

–7 A)

–2

–1

(–140 V, –0.71 A)

(–160 V, –0.63 A)

(–120 V, –0.83 A)

–0.5

2SJ160

2SJ161

2SJ162

–0.2

100

150

–5 –10 –20

–50 –100 –200 –500

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

V_DS= –10 V

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

–10

–8

–6

–4

–2

Tc = 25°C

–9

–8

–7

–6

–5

Tc = –25°C

25°C

75°C

–4

–3

–2

–1 V

= 0

–10

–20

–30

–40

–50

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Drain Current

Drain to Source Voltage vs.

Gate to Source Voltage

–10

–8

–6

–4

–2

–10

Pulse Test

75°C

–5

25°C

–2

–1

–5 A

Tc = –25°C

–0.5

–2 A

–0.2

–0.1

I_D= –1 A

V_GD= 0 V

–5 –10

Drain Current I_D(A)

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–2

–4

–6

–8

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 5

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