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2SD788CTZ-E

更新时间: 2024-01-24 07:31:57
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SD788CTZ-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD788CTZ-E 数据手册

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2SD788  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0771-0200  
(Previous ADE-208-1139)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SB738 and 2SB739  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A  
(Package name: TO-92 Mod)  
Emitter  
llector  
Absolute Maximum Ra
(Ta = 25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
20  
Collector to emitter volta
Emitter to base voltage  
Collector current  
20  
V
6
V
2
0.9  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Tstg  
–50 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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