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2SD718R

更新时间: 2024-02-22 17:52:26
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 97K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR

2SD718R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.36外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):12 MHz
Base Number Matches:1

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