2SD726

更新时间： 2024-02-28 18:58:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	232K
描述
Silicon NPNPower Transistor

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2SD726 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD726 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPNPower Transistor

2SD726

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min)

·High Power Dissipation

·Complement to Type 2SB690

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-45~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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