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2SD667-B-AP

更新时间： 2024-11-25 14:39:27

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美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	571K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SD667-B-AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SD667-B-AP 数据手册

2SD667(A)-B

2SD667(A)-C

2SD667(A)-D

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.

Collector-current 1.0A

Collector-base Voltage 120V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92MOD

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I = 1mAdc, I_B=0)

Vdc

2SD667

V_(BR)CEO

100

120

Vdc

2SD667A

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I = 10uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Voltage

(I = 10uAdc,I =0)

Vdc

Collector Cutoff Current

uAdc

(V_CB= 100Vdc, I_E=0)

ON CHARACTERISTICS

h _FE

DC Current Gain

320

(I = 150mAdc, V_CE=5Vdc)

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I = 500mAdc, I = 50mAdc)

Vdc

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

DIMENSIONS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

INCHES

MIN

.228

.331

.016

MIN

(I = 150mAdc, V_CE=5Vdc)

140(type)

20(type)

MHz

DIM

MAX

NOTE

6.20

8.80

0.60

Straight Lead

244

5.80

8.40

0.40

2.90

Output capacitance

(I_E= 0, V_CE=10Vdc, f=1 MHz)

346

024

122

.114

3.10

Bent Lead

.173

.220

4.40

5.60

Straight Lead

Bent Lead

.059

1.50

2.80

.086

.110

2.20

13.80

0.90

4.00

4.70

-----

.543

559

14.20

1.10

.035

.157

.185

----

.016

.068

043

-----

---

5.10

1.60

0.50

2.03

FE (1)

201

063

020

080

CLASSIFICATION OF H

Rank

0.40

1.73

Range

60-120

100-200

160-320

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision:

2013/07/29

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD667-B-AP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667-B-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667-B-BP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
2SD667BTZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92MOD,
2SD667BTZ	RENESAS	获取价格	1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD667BTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD667C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR
2SD667-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD667-C	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SD667C(TO-92MOD)	CJ	获取价格	Transistor

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