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2SD667L-B-AP

更新时间： 2024-11-25 20:54:47

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美微科 - MCC		/
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2页	287K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SD667L-B-AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SD667L-B-AP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SD667L

Micro Commercial Components

Features

NPN

•

Low Frequency Power Amplifier

Complementary Pair with 2SB647/A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Plastic-Encapsulate

Transistor

TO-92L

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

120

5.0

Collector Current

P_C

R_thJA

T_J

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

900

139

-55 to +150

^oC/W

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBOCollector-Base Breakdown Voltage

(I_C=10uAdc,I_E=0)

120

---

Vdc

V_(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc,I_B=0)

V_(BR)EBOEmitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc,I_C=0)

5.0

---

Vdc

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=100Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

uAdc

I_EBO

---

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

INCHES

MAX

.161

h_FE

DC Current gain⁽¹⁾

(I_C=150mAdc, V_CE=5Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=5Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base- Emitter Voltage

(I_C=150mAdc, V_CE=5Vdc)

Transistor Frequency

---

320

---

DIM

MIN

.146

.157

---

MIN

MAX

NOTE

3.700

4.000

4.10

---

V_CE(sat)

V_BE

f_T

---

1.0

1.5

---

Vdc

MHz

0.063

.018

.062

.201

.323

.559

.031

---

1.600

.014

.050

.185

.307

.543

.024

0.350

1.280

4.700

0.450

1.580

5.100

---

7.800

13.80

.600

8.200

14.20

.800

140

(I_C=150mAdc, V_CE=5Vdc)

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

C_ob

---

0.350

.550

.014

.022

1.270

.050

.096

.104

2.440

2.640

(1) h_FEClassification B: 60~120, C: 100~200,D:160~320

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2012/11/16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD667L-B-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667L-B-T9N-K	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667L-C-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667L-D-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667L-X-T9N-B	UTC	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL
2SD667L-X-T9N-K	UTC	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL
2SD667RF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD667RR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD667T	FOSHAN	获取价格	SOT-89
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