2SD667BTZ-E

更新时间： 2024-09-21 06:16:15

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描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SD667BTZ-E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-51, TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.35
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SD667BTZ-E 数据手册

2SD667, 2SD667A

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0769-0200

(Previous ADE-208-1137)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SB647/A

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SD667

2SD667A

Unit

120

100

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

i_C(peak)

P_C

0.9

°C

150

Tstg

–55 to +150

–50 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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与2SD667BTZ-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD667C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR
2SD667-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD667-C	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SD667C(TO-92MOD)	CJ	获取价格	Transistor
2SD667-C-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667-C-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667-C-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD667C-E	RENESAS	获取价格	1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD667CTZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92MOD,
2SD667CTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial