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2SD602AR

更新时间： 2024-01-24 05:59:01

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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB

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2SD602AR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	85
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602AR 数据手册

Transistor

2SD0602, 2SD0602A

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

240

200

160

120

800

700

600

500

400

300

200

100

800

Ta=25˚C

V_CE=10V

Ta=25˚C

700

600

500

400

300

200

100

I_B=10mA

9mA

8mA

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2mA

1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

(

)

(

)

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

100

300

250

200

150

100

I_C/I_B=10

V_CE=10V

Ta=75˚C

25˚C

75˚C

–25˚C

Ta=–25˚C

Ta=75˚C

25˚C

0.3

0.1

0.3

0.1

–25˚C

0.03

0.01

0.03

0.01

0.01 0.03

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

(

)

(

)

( )

Collector current I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

V_CER— R_BE

240

200

160

120

100

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

V_CB=10V

Ta=25˚C

I_C=2mA

Ta=25˚C

2SD0602A

2SD0602

–1

–3

–10

–30

–100

100

100 300 1000

(

)

(

)

(

)

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

123

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