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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 85 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD602LT1 | WINNERJOIN | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD602Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SD602-Q | SECOS | NPN Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SD602R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SD602-R | SECOS | NPN Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SD602S | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
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