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2SD612K

更新时间： 2024-01-24 00:35:18

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	163K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD612K 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	160
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SD612K 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD612 2SD612K

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SB632/632K

·High collector dissipation

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·25V/35V, 2A low-frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2SD612

2SD612K

2SD612

2SD612K

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Open collector

I_CM

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD612KD	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126	获取价格
2SD612KE	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126	获取价格
2SD612KF	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126	获取价格
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