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2SD612D

更新时间: 2024-01-24 20:16:25
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 596K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126

2SD612D 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.6最大集电极电流 (IC):2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):160
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):10 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SD612D 数据手册

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