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2SD602A-R

更新时间： 2024-01-18 13:44:50

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3页	1183K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistor

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2SD602A-R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602A-R 数据手册

2SD602 / 2SD602A

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-23

FEATURE

ꢀ

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Top View

C B

CLASSIFICATION OF h_{FE (1)}

Product-Rank

2SD602-Q

85~170

WQ1

2SD602-R

2SD602-S

170~340

WS1

Range

120~240

WR1

Marking Code

Product-Rank

Range

2SD602A-Q

85~170

2SD602A-R

120~240

2SD602A-S

170~340

Millimeter

REF.

Min.

Max.

3.04

2.55

1.40

1.15

2.04

0.50

Min.

Max.

2.80

2.10

1.20

0.89

1.78

0.30

0.09

0.45

0.08

0.18

0.60

0.177

Marking Code

0.6 REF.

0.89

1.02

PACKAGE INFORMATION

Collector

Package

MPQ

LeaderSize

7’ inch

SOT-23

Base

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

2SD602

2SD602A

2SD602

2SD602A

Collector to Base Voltage

V_CBO

Collector to Emitter Voltage

V_CEO

Emitter to Base Voltage

V_EBO

I_C

500

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

P_C

200

Thermal Resistance From Junction to Ambient

Junction, Storage Temperature

R_θJA

T_J, T_STG

625

°C / W

°C

150, -55~150

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

04-Mar-2011 Rev. B

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD602ATSK	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格