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2SD602A-R

更新时间： 2024-01-08 05:11:08

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描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistor

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2SD602A-R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602A-R 数据手册

2SD602 / 2SD602A

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Test Conditions

I_C=10µA, I_E=0

Collector to Base Breakdown

Voltage

2SD602

V_(BR)CBO

2SD602A

Collector to Emitter Breakdown 2SD602

Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=10mA, I_B=0

2SD602A

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

I_E=10µA, I_C=0

0.1

340

µA V_CB=20V, I_E=0

µA V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

h_{FE (1)}

V_CE=10V, I_C=150mA

DC Current Gain

h_{FE (2)}

V_CE=10V, I_C=500mA

I_C=300mA, I_B=30mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V_CE(sat)

200

0.6

f_T

MHz V_CE=10V, I_C=50mA, f=200MHz

pF V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

*Pulse test: Pulse width≦350µS, duty cycle≦2.0%

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

04-Mar-2011 Rev. B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD602A-R-HF	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD602AS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB
2SD602A-S	SECOS	获取价格	NPN Plastic-Encapsulate Transistor
2SD602A-S-HF	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD602ATMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD602ATSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD602LT1	WINNERJOIN	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD602Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB
2SD602-Q	SECOS	获取价格	NPN Plastic-Encapsulate Transistor
2SD602R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB