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2SD602

更新时间： 2024-02-01 19:03:47

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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1页	457K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD602 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	85
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602 数据手册

D602

TRANSISTOR (NPN)

SOT–23

FEATURES

 Low Collector to Emitter Saturation Voltage

 Mini Type Package

1. BASE

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

200

P_C

R_ΘJA

T_j

625

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBOI_C=10µA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=10µA, I_C=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_EBO

V_CB=20V, I_E=0

0.1

340

µA

V_EB=5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE=10V, I_C=0.15A

V_CE=10V, I_C=0.5A

I_C=0.3A, I_B=0.03A

V_CE=10V,I_C=0.05A, f=200MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

DC current gain

V_CE(sat)

0.6

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

f_T

200

MHz

C_ob

Collector output capacitance

*Pulse test: pulse width ≤350μs, duty cycle≤ 2.0%.

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

RANK

RANGE

85–170

WQ1

120–240

WR1

170–340

WS1

MARKING

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD602A	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planer type	获取价格
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