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2SD602AR

更新时间： 2024-01-21 05:04:41

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	67K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB

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2SD602AR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	85
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD602AR 数据手册

Transistor

2SD0602, 2SD0602A (2SD602, 2SD602A)

Silicon NPN epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB0710 (2SB710) and 2SB0710A (2SB710A)

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

Features

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.65 0.15

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD0602

2SD0602A

2SD0602

V_CBO

base voltage

Collector to

0.1 to 0.3

0.4 0.2

V_CEO

emitter voltage 2SD0602A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

1:Base

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

2:Emitter

3:Collector

500

˚C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

(2SD0602)

Marking symbol : W

(2SD0602A)

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 20V, I_E= 0

0.1

µA

Collector to base

voltage

2SD0602

2SD0602A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SD0602

V_CEO

V_EBO

I_C= 10mA, I_B= 0

voltage

2SD0602A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10V, I_C= 150mA^*2

V_CE= 10V, I_C= 500mA^*2

I_C= 300mA, I_B= 30mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA^*2, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

160

340

0.6

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.35

200

MHz

Transition frequency

f_T

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

FE1

Rank classification

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

2SD0602

Marking

Symbol

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show

conventional part number.

2SD0602A

12 3

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